推荐用于氮化物基膜以及其制造的掩埋接触器件的制作方法

这篇文章提供的推荐用于氮化物基膜以及其制造的掩埋接触器件的制作方法,小编为您梳理啦~

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专利名称:用于氮化物基膜以及其制造的掩埋接触器件的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体器件并且更具体地涉及由GaN基半导体材料膜 形成的半导体器件。
主要对于用作包括嵌入导体(例如,金属)接触的GaN和/或InGaN 和/或AlGaN基半导体器件,本发明已经有了发展,并且会在下文中参 考应用来进行解释。然而,可以理解,本发明不限于使用在该具体领 域。
背景技术
贯穿说明书的有关现有技术的任何讨论,决不应该理解为承认这 样的现有技术是本领域公知的或是形成本领域一般普通知识的部分。
氮化镓是一种在蓝、紫和白发光二极管、蓝激光二极管、紫外探 测器和高功率微波晶体管器件的构建中广泛地使用的材料。
由于适合在广泛应用中使用的低能耗器件制造中氮化镓的实际和 潜在的用途,人们对氮化镓膜非常感兴趣。
远程等离子增强化学气相沉积(RPECVD,可以与RPCVD交换使 用)是另外一种生长方法,该方法可用于生长(III)族金属氮化物膜。 当生长的膜是氮化镓时,RPECVD技术可以使用约50(TC至约800°C、 或者约50(TC至约700。C的生长温度,这被认为是比MOCVD工艺的生 长温度低并且可以縮减设备成本。RPECVD工艺的另一优势在于可以 使用与GaN的晶格匹配更接近的温度敏感衬底材料,例如氧化锌。
由于普遍地认为依靠远离衬底的等离子源的PRECVD是使得膜免 受等离子中产生的类型(species)的损伤的技术,发明人发现通过这 种方法生长的膜甚至可以在相对的能量类型下经受严重的损害。为了 克服这个工艺特别是GaN膜及其合金的问题,在2009年12月16日 申请日期2008年7月18日 优先权日2007年7月20日
发明者A·J·J·费尔南德斯, K·S·A·布彻, M-P·F·温特伯特埃普富凯 申请人:镓力姆企业私人有限公司

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